Использование специальных технологических приёмов (главным образом легирование германия и кремния золотом) позволило снизить время переключения до 10^-7— 10^-10 сек и создать быстродействующие импульсные П. д., используемые, наряду с диодными матрицами , главным образом в слаботочных сигнальных цепях ЭВМ.

  При невысоких пробивных напряжениях обычно развивается не тепловой, а обратимый лавинный пробой р—n -перехода — резкое нарастание тока при почти неизменном напряжении, называется напряжением стабилизации U_cт . На использовании такого пробоя основана работа полупроводниковых стабилитронов . Стабилитроны общего назначения с U_cт от 3—5 в до 100—150 в применяют главным образом в стабилизаторах и ограничителях постоянного и импульсного напряжения; прецизионные стабилитроны, у которых встраиванием компенсирующих элементов достигается исключительно высокая температурная стабильность U_cт (до 1×10^-5 — 5×10^-6 К^-1 ), — в качестве источников эталонного и опорного напряжений.

  В предпробойной области обратный ток диода подвержен очень значительным флуктуациям; это свойство р—n- перехода используют для создания генераторов шума. Инерционность развития лавинного пробоя в р—n -переходе (характеризующаяся временем 10^-9 —10^-10сек ) обусловливает сдвиг фаз между током и напряжением в диоде, вызывая (при соответствующей схеме включения его в электрическую цепь) генерирование СВЧ колебаний. Это свойство успешно используют в лавинно-пролётных полупроводниковых диодах , позволяющих осуществлять генераторы с частотами до 150 Ггц.

  Для детектирования и преобразования электрических сигналов в области СВЧ используют смесительные П. д. и видеодетекторы, в большинстве которых р—n -переход образуется под точечным контактом. Это обеспечивает малое значение ёмкости С_в (рис. 3 ), а специфическое, как и у всех СВЧ диодов, конструктивное оформление обеспечивает малые значения паразитных индуктивности L_k и ёмкости С_к и возможность монтажа диода в волноводных системах.

  При подаче на р—n -переход обратного смещения, не превышающего U*_обр , он ведёт себя как высокодобротный конденсатор, у которого ёмкость С_в зависит от величины приложенного напряжения. Это свойство используют в варикапах , применяемых преимущественно для электронной перестройки резонансной частоты колебательных контуров, в параметрических полупроводниковых диодах , служащих для усиления СВЧ колебаний, в варакторах и умножительных диодах, служащих для умножения частоты колебаний в диапазоне СВЧ. В этих П. д. стремятся уменьшить величину сопротивления r_б (основной источник активных потерь энергии) и усилить зависимость ёмкости С_в от напряжения U_o6p .

  У р—n -перехода на основе очень низкоомного (вырожденного) полупроводника область, обеднённая носителями заряда, оказывается очень тонкой (~ 10^-2 мкм ), и для неё становится существенным туннельный механизм перехода электронов и дырок через потенциальный барьер (см. Туннельный эффект ). На этом свойстве основана работа туннельного диода , применяемого в сверхбыстродействующих импульсных устройствах (например, мультивибраторах , триггерах ), в усилителях и генераторах колебаний СВЧ, а также обращенного диода, применяемого в качестве детектора слабых сигналов и смесителя СВЧ колебаний. Их ВАХ (рис. 4 ) существенно отличаются от ВАХ других П. д. как наличием участка с «отрицательной проводимостью», ярко выраженной у туннельного диода, так и высокой проводимостью при нулевом напряжении.

  К П. д. относят также ПП приборы с двумя выводами, имеющие неуправляемую четырёхслойную р—n—р—n -структуру и называют динисторами (см. Тиристор ), а также приборы, использующие объёмный эффект доменной неустойчивости в ПП структурах без р—n -перехода — Ганна диоды . В П. д. используют и др. разновидности ПП структур: контакт металл — полупроводник (см. Шотки эффект , Шотки диод ) и р—i—n -структуру, характеристики которых во многом сходны с характеристиками р—n -перехода. Свойство р—i—n -структуры изменять свои электрические характеристики под действием излучения используют, в частности, в фотодиодах и детекторах ядерных излучений , устроенных т. о., что фотоны или ядерные частицы могут поглощаться в активной области кристалла, непосредственно примыкающей к р—n -переходу, и изменять величину обратного тока последнего. Эффект излучательной рекомбинации электронов и дырок, проявляющийся в свечении некоторых р—n -переходов при протекании через них прямого тока, используется в светоизлучающих диодах . К П. д. могут быть отнесены также и полупроводниковые лазеры .

  Большинство П. д. изготавливают, используя планарно-эпитаксиальную технологию (см. Планарная технология ), которая позволяет одновременно получать до нескольких тысяч П. д. В качестве полупроводниковых материалов для П. д. применяют главным образом Si, а также Ge, GaAs, GaP и др., в качестве контактных материалов — Au, Al, Sn, Ni, Cu. Для защиты кристалла П. д. его обычно помещают в металло-стеклянный, металло-керамический, стеклянный или пластмассовый корпус (рис. 5 ).

  В СССР для обозначения П. д. применяют шестизначный шифр, первая буква которого характеризует используемый полупроводник, вторая — класс диода, цифры определяют порядковый номер типа, а последняя буква — его группу (например, ГД402А — германиевый универсальный диод; КС196Б — кремниевый стабилитрон).

  От своих электровакуумных аналогов, например кенотрона , газоразрядного стабилитрона , индикатора газоразрядного , П. д. отличаются значительно большими надёжностью и долговечностью, меньшими габаритами, лучшими техническими характеристиками, меньшей стоимостью и поэтому вытесняют их в большинстве областей применения.

  С развитием ПП электроники совершился переход к производству наряду с дискретными П. д. диодных структур в ПП монолитных интегральных схемах и функциональных устройствах, где П. д. неотделим от всей конструкции устройства.

  Об исторических сведениях см. в ст. Полупроводниковая электроника .

  Лит.: Полупроводниковые диоды. Параметры. Методы измерений, М., 1968; Федотов Я. А., Основы физики полупроводниковых приборов, М., 1970; Пасынков В. В., Чиркин Л. К., Шинков А. Д., Полупроводниковые приборы, М., 1973; Зи С. М., Физика полупроводниковых приборов, пер. с англ., М., 1973.

  Ю. Р. Носов.

Рис. 4. Вольтамперные характеристики туннельного (1) и обращенного (2) диодов: U — напряжение на диоде; I — ток через диод.

Рис. 2. Типичная вольтамперная характеристика полупроводникового диода с р — n-переходом: U — напряжение на диоде; I — ток через диод; U*_oбр и I*_oбр — максимальное допустимое обратное напряжение и соответствующий обратный ток; U_cт — напряжение стабилизации.

Рис. 3. Малосигнальная (для низких уровней сигнала) эквивалентная схема полупроводникового диода с р — n-переходом: r_p-n — нелинейное сопротивление р — n-перехода; r_б — сопротивление объёма полупроводника (базы диода); r_yт — сопротивление поверхностных утечек; С_Б — барьерная ёмкость р — n-перехода; С_диф — диффузионная ёмкость, обусловленная накоплением подвижных зарядов в базе при прямом напряжении; С_к — ёмкость корпуса; L_к — индуктивность токоподводов; А и Б — выводы. Сплошной линией показано подключение элементов, относящихся к собственно р — n-переходу.