Лит.: Ахманов С. А., Хохлов Р. В., Параметрические усилители и генераторы света, «Успехи физических наук», 1966, т. 88, в. 3, с. 439; Ярив А., Квантовая электроника и нелинейная оптика, пер. с англ., М., 1973.

  А. П. Сухоруков.

Рис. 3. Нелинейный кристалл, помещенный в оптический резонатор; З₁ и З₂ — зеркала, образующие резонатор.

Рис. 2. а — условие синхронизма в нелинейном кристалле; J — угол между оптической осью кристалла и лучом накачки; J_с — направление синхронизма; б — изменение длины волнового вектора k_н необыкновенной волны накачки и обыкновенных генерируемых волн k₁ и k₂ при повороте кристалла; в — зависимость частот w₁ и w₂ генерируемых волн от J.

Рис. 1. Зависимость показателя преломления n от частоты волны w при нормальной дисперсии.

Параметри'ческий полупроводнико'вый дио'д, полупроводниковый диод, относящийся к группе варакторных диодов, принцип действия которых основан на эффекте зависимости ёмкости р-n -перехода от приложенного к нему напряжения. В параметрических усилителях П. п. д. используют в качестве элемента с переменной ёмкостью, включаемого в колебательный контур усилителя (использование p-n -перехода с этой целью впервые предложено Б. М. Вулом в 1954); на П. п. д. подаётся постоянное обратное смещение (обычно — 0,3—2,0 в ) и два переменных СВЧ (до нескольких сотен Ггц ) сигнала — от генератора накачки и усиливаемый. П. п. д. отличаются низким уровнем собственных шумов, который зависит в основном от сопротивления полупроводникового материала и его температуры. Для повышения верхней границы полосы частот усиливаемых колебаний стремятся уменьшить ёмкость П. п. д. в рабочей точке C и постоянную времени диода t_s = r_s • C , где r_s — суммарное сопротивление объёма П. п. д., примыкающего к р-n- переходу, и контактов. Мощность колебаний накачки ограничивается допустимым значением обратного напряжения U_доп на диоде. П. п. д. изготавливают чаще всего из кремния, германия, арсенида галлия. Значения основных параметров П. п. д., выпускаемых в СССР и за рубежом: C =0,01— 2 пф , t_s = 0,1—2 nceк , U_доп = 6—10 в и диапазон рабочих температур 4—350 К.

  Лит.: Физические основы работы полупроводниковых СВЧ диодов, М., 1965; СВЧ— полупроводниковые приборы и их применение, пер. с англ., М., 1972.

  И. Г. Васильев.

Параметри'ческий усили'тель, радиоэлектронное устройство, в котором усиление сигнала по мощности осуществляется за счёт энергии внешнего источника (так называемого генератора накачки), периодически изменяющего ёмкость или индуктивность нелинейного реактивного элемента электрической цепи усилителя. П. у. применяют главным образом в радиоастрономии , дальней космической и спутниковой связи и радиолокации как малошумящий усилитель слабых сигналов, поступающих на вход радиоприёмного устройства, преимущественно в диапазоне СВЧ. Чаще всего в П. у. в качестве реактивного элемента используют параметрический полупроводниковый диод (ППД). Кроме того, в диапазоне СВЧ применяют П. у., работающие на электроннолучевых лампах, а в области низких (звуковых) частот —П. у. с ферромагнитным (ферритовым) элементом.

  Наибольшее распространение получили двухчастотные (или двухконтурные) П. у.: в сантиметровом диапазоне — регенеративные «отражательные усилители с сохранением частоты» (рис. , а), на дециметровых волнах — усилители — преобразователи частоты (рис. , б) (см. Параметрическое возбуждение и усиление электрических колебаний ). В качестве приёмного колебательного контура и колебательного контура, настраиваемого на вспомогательную, или «холостую», частоту (равную чаще всего разности или сумме частот сигнала и генератора накачки), в П. у. обычно используют объёмные резонаторы , внутри которых располагают ППД. В генераторах накачки применяют лавинно-пролётный полупроводниковый диод , Ганна диод , варактор

ный умножитель частоты и реже отражательный клистрон . Частота накачки и «холостая» частота выбираются в большинстве случаев близкими к критической частоте f_kp ППД (т. е. к частоте, на которой П. у. перестаёт усиливать); при этом частота сигнала должна быть значительно меньшей f_kp. Для получения минимальных шумовых температур (10—20 К и менее) применяют П. у., охлаждаемые до температур жидкого азота (77 К), жидкого гелия (4,2 К) или промежуточных (обычно 15—20 К); у неохлаждаемых П. у. шумовая температура 50—100 К и более. Максимально достижимые коэффициент усиления и полоса пропускания П. у. определяются в основном параметрами реактивного элемента. Реализованы П. у. с коэффициентами усиления мощности принимаемого сигнала, равными 10—30 дб, и полосами пропускания, составляющими 10—20% несущей частоты сигнала.

  Лит.: Эткин В. С., Гершензон Е. М., Параметрические системы СВЧ на полупроводниковых диодах, М.. 1964; Лопухин В. М., Рошаль А. С., Электроннолучевые параметрические усилители, М., 1968; СВЧ — полупроводниковые приборы и их применение, пер. с англ., М., 1972; Копылова К. Ф., Терпугов Н. В., Параметрические емкостные усилители низких частот, М., 1973; Penfield P., Rafuse R., Varactor applications, Camb. (Mass.), 1962.

  В. С. Эткин.

Эквивалентные схемы параметрических усилителей: а — регенеративного; б — «с преобразованием частоты вверх»; u_вх — входной сигнал с несущей частотой f_c , u_н — напряжение «накачки»; u_вых1 — выходной сигнал с несущей частотой f_c ; u_вых2 — выходной сигнал с несущей частотой (f_c + f_н ); Tp₁ — входной трансформатор; Тр₂ — выходной трансформатор; Тр₂ — трансформатор в цепи «накачки»; Д — параметрический полупроводниковый диод; L — катушка индуктивности колебательного контура, настроенного на частоту (f_c + f_н ); Ф_с , Ф_сн , Ф_н — электрические фильтры, имеющие малое полное сопротивление соответственно при частотах f_c , (f_c + f_н ), f_н и достаточно большое при всех других частотах.

Параметри'ческое буре'ние, проведение скважин в нефтегазоносных областях с целью получения геолого-геофизических параметров, необходимых для разведки. П. б.— составная часть первой стадии поискового этапа. Выбор места заложения скважин производится по данным региональных геолого-геофизических исследований. Глубина скважин обычно составляет 3—5 км , иногда свыше 7 км . Проходка скважин с отбором керна составляет 10—20% от общей их глубины. По керну определяют физические параметры (отражающие, преломляющие, плотностные, электрические, магнитные, акустические и др. свойства), литологический состав горных пород, уточняют стратиграфические границы и т.д.

  В результате П. б. и всех др. региональных исследований выявляются особенности геологического строения земной коры и зоны, благоприятные для скопления нефти, газа и других полезных ископаемых, а также определяются основные направления их поисков. См. также Бурение .