А. Л. Картужанский.

Фотогра'фия рабо'чего дня , один из методов изучения использования рабочего времени путём непрерывного наблюдения и измерения всех его затрат на протяжении смены. Проводится в целях выявления резервов повышения производительности труда. С помощью Ф. р. д. решаются следующие основные задачи: определение фактического баланса использования рабочего времени, фактической выработки продукции и темпов её выпуска на протяжении смены; выявление потерь рабочего времени, анализ причин, их вызвавших; получение данных для расчёта нормативов подготовительно-заключительного времени, времени обслуживания рабочего места и времени перерывов на отдых, а также норм обслуживания рабочими агрегатов и машин. Проведение Ф. р. д. позволяет выявить устаревшие и ошибочные нормы, провести анализ использования рабочего времени передовыми рабочими; определить рациональный состав бригады и формы разделения труда при бригадном методе организации труда; получить данные о часовой выработке продукции в течение смены. В зависимости от числа объектов наблюдения и целевого задания применяются следующие виды Ф. р. д.: индивидуальная, групповая, бригадная, Ф. р. д. многостаночника, маршрутная и самофотография рабочего дня. Ф. р. д. проводится по следующим этапам: подготовка, проведение наблюдения (в процессе последнего записываются все последовательные действия рабочего или рабочих, регистрируются затраты времени на протяжении смены или её части), анализ его результатов, разработка организационно-технических мероприятий, направленных на ликвидацию потерь рабочего времени, проектирование нормативного баланса рабочего дня, расчёт коэффициентов рабочего времени.

  Лит.: Захаров Н. Н., Техническое нормирование труда в машиностроении, М., 1958; Тругман М. И., Будилов А. И., Справочник нормировщика промышленного предприятия, М., 1966; Основные методические положения по нормированию труда рабочих в народном хозяйстве, М., 1973.

  Б. Ф. Никонов.

Фотодинами'ческое де'йствие, повреждение биологических структур и нарушение их функций при поглощении света пигментом или красителем в присутствии кислорода. При Ф. д. повреждаются молекулы (неокрашенные), непосредственно не поглощающие энергию видимого излучения. Посредником в фотореакции (фотосенсибилизатором) служит окрашенное вещество, которое поглощает кванты, сенсибилизирует окисление субстрата кислородом и образование продукта Ф. д. В фотопроцессе молекулы красителя, по-видимому, участвуют в возбуждённом триплетном состоянии. К активным красителям Ф. д. относятся акридины, антрохиноны, ряд порфиринов, рибофлавин и др. В качестве субстрата реакции могут служить самые разнообразные органические вещества, поэтому к Ф. д. чувствительны многие структуры и функции на уровне организма, клетки и молекулы. Так, Ф. д. может вызывать эритему и кожные воспалительные процессы (фотодерматозы) при нанесении на кожу активных красителей, интоксикацию при поглощении света свободными порфиринами крови (при нарушении порфиринового обмена). Известны отравления животных при поедании ими растений, содержащих фотодинамически активный пигмент (например, гиперицин в зверобое). Возможно развитие канцерогенных процессов при Ф. д. в пигментированных образованиях. На клеточном уровне Ф. д. проявляется стимуляцией и торможением деления клеток, мутагенными эффектами, бактерицидным действием, повреждением биомембран. Известно влияние Ф. д. на физиологическиеи биохимические процессы (дыхание, окислительное фосфорилирование, фотосинтез). В основе многих эффектов лежит повреждение молекул белков (ферментов) вследствие Ф. д. окисления входящих в них аминокислот. Действие на генетический аппарат, бактерии, вирусы обусловлено инактивацией нуклеиновых кислот, происходящей в результате деструкции (разрушения) азотистых оснований.

  Лит.: Конев С. В., Болотовский И. Д., Фотобиология, Минск, 1974; Spikes J., Photodynamic action, в кн.: Photophysiology, v. 3, N. Y., 1968.

  Ф. Ф. Литвин.

Фотодио'д,полупроводниковый диод , обладающий свойством односторонней фотопроводимости при воздействии на него оптического излучения. Ф. представляет собой полупроводниковый кристалл обычно с электронно-дырочным переходом (р –n -переходом), снабженный 2 металлическими выводами (один от р-, другой от n- области) и вмонтированный в металлический или пластмассовый защитный корпус. Материалами, из которых выполняют Ф., служат Ge, Si, GaAs, HgCdTe и др.

  Различают 2 режима работы Ф.: фотодиодный, когда во внешней цепи Ф. содержится источник постоянного тока, создающий на р–n -переходе обратное смещение, и вентильный, когда такой источник отсутствует. В фотодиодном режиме Ф., как и фоторезистор , используют для управления электрическим током в цепи Ф. в соответствии с изменением интенсивности падающего излучения. Возникающие под действием излучения неосновные носители диффундируют через р–n -переход и ослабляют электрическое поле последнего. Фототок в Ф. в широких пределах линейно зависит от интенсивности падающего излучения и практически не зависит от напряжения смещения. В вентильном режиме Ф., как и полупроводниковый фотоэлемент , используют в качестве генератора фотоэдс .

  Основные параметры Ф.: 1) порог чувствительности (величина минимального сигнала, регистрируемого Ф., отнесённая к единице полосы рабочих частот), достигает 10^-14вт/гц^1/2 ; 2) уровень шумов – не свыше 10^-9а ; 3) область спектральной чувствительности лежит в пределах 0,3–15 мкм; 4) спектральная чувствительность (отношение фототока к потоку падающего монохроматического излучения с известной длиной волны) составляет 0,5–1 а/вт; 5) инерционность (время установления фототока) порядка 10^-7 –10^-8сек. В лавинном Ф., представляющем собой разновидность Ф. с р–n -cтруктурой, для увеличения чувствительности используют т. н. лавинное умножение тока в р–n -переходе, основанное на ударной ионизации атомов в области перехода фотоэлектронами. При этом коэффициент лавинного умножения составляет 10² –10⁴ . Существуют также Ф. с р–i–n -cтруктурой, близкие по своим характеристикам к Ф. с р–n -cтруктурой; по сравнению с последними они обладают значительно меньшей инерционностью (до 10^-10 сек).

  Ф. находят применение в устройствах автоматики, лазерной техники, вычислительной техники, измерительной техники и т.п.

  Лит.: Тришенков М. А., Фример А. И., Фотоэлектрические полупроводниковые приборы с р–n-переходами, в сборнике: Полупроводниковые приборы и их применение, М., 1971; Рябов С. Г., Торопкин Г. Н., Усольцев И. Ф., Приборы квантовой электроники, М., 1976.

  И. Ф. Усольцев.

Структурная схема фотодиода и схема его включения при работе в фотодиодном режиме: 1 — кристалл полупроводника; 2 — контакты; 3 — выводы; Ф — поток электромагнитного излучения; п и р — области полупроводника соответственно с донорной и акцепторной примесями; Е — источник постоянного тока; R_н — нагрузка.

Фотодиэлектри'ческий эффе'кт, изменение статической (низкочастотной) диэлектрической проницаемости среды под действием электромагнитного излучения. Электромагнитное поле может изменить как действительную (статическую) e₁ , так и мнимую e₂ части диэлектрической проницаемости. Изменение величины e₂ связано с фотопроводимостью . Величина же e₁ изменяется при облучении среды за счёт перехода части атомов или молекул в возбуждённые состояния, в которых их поляризуемость отлична от поляризуемости в основном состоянии. В полупроводниках Ф. э. наблюдается даже при сравнительно слабых интенсивностях излучения за счёт оптического возбуждения или оптической перезарядки примесных атомов. При возбуждении или перезарядке увеличивается эффективный радиус атомов примесей и вследствие этого возрастает их поляризуемость и поляризуемость кристалла в целом.