Лит.: Леонтьев А. Н., Развитие памяти, М., 1931; Блонский П. П., Память и мышление, М. — Л., 1935; Смирнов А. А., Проблемы психологии памяти, М., 1966; Зейгарник Б. В., Введение в патопсихологию, М., 1966; Лурия А. Р., Высшие корковые функции человека и их нарушения при локальных поражениях мозга, 2 изд., М., 1969.

  А. Л. Пузырей.

Запомина'ющая электро'ннолучева'я тру'бка, электроннолучевая трубка, обладающая способностью сохранять в течение определённого времени электрические сигналы. Применяется для записи и многократного воспроизведения нестационарных процессов, сравнения сигналов (при невозможности их одновременного получения), выделения (селекции) движущихся целей в радиолокационных индикаторах, преобразования радиолокационных сигналов в телевизионные, в устройствах оперативной памяти ЭВМ и т.д. Различают З. э. т., в которых: а) записанная информация выдаётся в форме электрических сигналов (графеконы и др.) и б) записанные сигналы преобразуются в изображение на экране (потенциалоскопы с видимым изображением и др.). Во всех видах З. э. т. происходят: а) подготовка к записи — «стирание» записанного ранее сигнала; б) запись сигнала в виде распределения зарядов (потенциального рельефа) на поверхности диэлектрической пластины; в) сохранение сигнала в течение необходимого времени — «запоминание» сигнала: г) воспроизведение сигнала в любое время — «считывание». Перед записью сигналов на мишени трубки устанавливается одинаковый для всех точек поверхности потенциал. Запись входных сигналов выполняется путём развёртывания на поверхности мишени записывающего электронного луча, модулированного по интенсивности сигналами. В результате на поверхности диэлектрика образуется потенциальный рельеф, характеризующий определённую последовательность записи сигналов. «Считывание» хранимого сигнала осуществляется считывающим электронным лучом, выполняющим функции коммутатора тока. При этом точки мишени последовательно заряжаются до одинакового потенциала, а в цепи сигнальной пластины возникают токи, соответствующие глубине записанного потенциального рельефа. В З. э. т. с видимым изображением мишень изготавливается в виде металлической сетки, на которую наносят слой диэлектрика. За мишенью располагается люминесцирующий экран, на который подаётся определённый постоянный электрический потенциал. Электроны, пролетевшие сквозь сетку мишени, создают на экране светящееся изображение записанного на мишени потенциального рельефа. «Стирание» его во многих конструкциях З. э. т. осуществляется вторым (немодулированным) лучом, выравнивающим потенциалы всех точек мишени. В некоторых З. э. т. снятие потенциального рельефа происходит в процессе многократного считывания и специального стирания не требуется. Потенциальный рельеф может сохраняться нескольких суток. Однократно записанную информацию можно воспроизводить сотни раз.

  Лит.: Кноль М., Кэйзан Б., Электроннолучевые трубки с накоплением зарядов, пер. с англ., М. — Л., 1955; Власов В. Ф., Электронные и ионные приборы, 3 изд., М., 1960.

  В. И. Баранов.

Запомина'ющее устро'йство (ЗУ), блок вычислительной машины или самостоятельное устройство, предназначенное для записи, хранения и воспроизведения информации. Наибольшее распространение ЗУ получили в цифровых вычислительных машинах (ЦВМ), а также в устройствах автоматики, телемеханики, ядерной физики и т.д. для хранения главным образом дискретной информации, для временного согласования работы нескольких объектов или накопления данных, подлежащих передаче по каналам телемеханики. Фиксация информации в ЗУ основана на различных физических принципах: механическое перемещение или удаление части материала носителя информации (перфорационные ленты, перфокарты), изменение магнитного состояния материала (магнитные ленты, диски, барабаны, ферритовые сердечники), накопление электростатического заряда в диэлектриках (конденсаторные ЗУ, запоминающие электроннолучевые трубки), использование звуковых и ультразвуковых колебаний (линии задержки ), применение явления сверхпроводимости (криогенные элементы ) и др. Основными показателями ЗУ, определяющими их эффективность, являются: ёмкость М (максимальное количество слов или знаков, которые можно одновременно разместить в ЗУ), выражаемая в двоичных единицах (битах) или в байтах (8 бит); быстродействие, характеризуемое временем полного цикла обращения к ЗУ Тц (иногда временем выборки) или частотой обращения

Иногда для характеристики ЗУ пользуются обобщающим параметром — информационной мощностью W = М•F (в лучших современных ЗУ она достигает 10¹³ байт/сек).

  В зависимости от назначения, способов размещения информации и особенностей функционирования ЗУ, как правило, классифицируют в соответствии со схемой, представленной на рис. 1 . По способу поиска нужной информации различают адресные ЗУ, в которых каждой ячейке памяти присваивается определённый номер (адрес) и требуемая информация ищется по конкретному адресу, и ассоциативные запоминающие устройства , в которых информация отыскивается по совокупности признаков. В ЗУ возможно как последовательное, так и циклическое обращение (доступ) к ячейкам либо произвольный доступ, когда обращение к любой ячейке осуществляется независимо от её расположения среди других ячеек.

  В зависимости от кратности записи ЗУ делятся на нестирающиеся, допускающие однократную запись с последующим многократным считыванием без регенерации (например, диодные матрицы , перфорационные карты, перфорационные ленты), и стирающиеся (ЗУ на магнитных носителях, ферритовых сердечниках, электронных триггерах и др.).

  Статическими называются такие ЗУ, в которых состояния носителя, соответствующие записанному коду, неподвижны относительно носителя информации. К статическим относятся и все ЗУ с неразрушающим считыванием. В динамических ЗУ последовательность сигналов, соответствующая фиксируемому коду, циркулирует по замкнутому контуру, включающему линию задержки. Статические ЗУ могут быть устойчивыми, в которых информация сохраняется неограниченно долго (например, ЗУ на триггерах, ферритовых сердечниках), и неустойчивыми, обладающими свойством самопроизвольного стирания информации (конденсаторные ЗУ, запоминающие электроннолучевые трубки).

  Для хранения больших массивов информации чаще всего применяют т. н. внешние ЗУ с записью на магнитных носителях: магнитные ленты, барабаны, диски. Путём параллельного подключения нескольких блоков ЗУ можно хранить теоретически неограниченные объёмы информации. Ёмкость современных внешних ЗУ на магнитных лентах достигает 10⁸ байт (с подключением до 256 блоков), на магнитных дисках — до 6-10⁸ байт; скорость ввода (вывода) 3,2-10⁵ байт/сек для ЗУ на магнитных лентах и 2-10⁶ байт/сек для ЗУ на магнитных дисках.

  В ЦВМ для хранения данных, необходимых на ближайших этапах решения задачи, служат оперативные ЗУ, которые, как правило, строятся на тороидальных ферритовых сердечниках (до 95% всех оперативных ЗУ), реже — на др. ферромагнитных элементах (например, многоотверстных ферритовых пластинах, магнитных тонких плёнках и др.). Весьма перспективными считаются интегральные полупроводниковые ЗУ. Ёмкость оперативных ЗУ в современных крупных ЦВМ достигает 16-10⁶ байт; время записи и считывания (выборки) составляет от сотых долей мксек до нескольких мксек.

  В больших ЦВМ в отдельный блок часто выделяют буферное ЗУ, выполняющее функции промежуточного звена при обмене информацией между устройствами с различным быстродействием (например, между оперативным и внешним ЗУ), а иногда и сверхоперативное ЗУ небольшой ёмкости (порядка нескольких сотен байт). Сверхоперативные ЗУ выполняются на запоминающих элементах повышенного быстродействия (например, тонких магнитных плёнках, туннельных диодах, триггерах). Для хранения данных, состав которых в процессе обработки определённого типа информации или решения одного класса задач не меняется (например, табличные данные, стандартные подпрограммы, неизменные программы управляющих вычислительных машин), применяют постоянные запоминающие устройства.