23-4. МЕРЫ ПРЕДОСТОРОЖНОСТИ ПРИ РАБОТЕ С МОП ТРАНЗИСТОРАМИ
При работе с МОП транзисторами необходимо соблюдать некоторые меры предосторожности. Важно проверить по данным производителя максимальное значение ЕЗИ. Если ЕЗИ будет слишком большим, то тонкий изолирующий слой разрушится, и транзистор выйдет из строя. Изолирующий слой достаточно чувствителен и может быть поврежден статическим зарядом, появляющимся на выводах транзистора. Электростатические заряды с пальцев могут перейти на выводы МОП транзистора, когда вы касаетесь его руками или при монтаже.
Для того чтобы избежать повреждения, МОП транзисторы обычно поставляются с соединенными вместе выводами. Закорачивание осуществляется следующими методами: соединение выводов проволокой, упаковка транзистора в закорачивающее кольцо, прессовка транзистора в проводящую пену, соединение нескольких транзисторов вместе, транспортировка в антистатических трубках и заворачивание транзисторов в металлическую фольгу.
Новейшие МОП транзисторы защищены с помощью стабилитронов, включенных внутри транзистора между затвором и истоком. Диоды защищают от статических разрядов и переходных процессов и избавляют от необходимости использования внешних закорачивающих устройств. В электронике переходным процессом называется временное изменение тока, вызванное резким изменением нагрузки, включением или выключением источника тока или импульсным сигналом.
С незащищенными МОП транзисторами можно без опаски работать при соблюдении следующих процедур:
1. До установки в цепь выводы транзистора должны быть соединены вместе.
2. Рука, которой вы будете брать транзистор, должна быть заземлена с помощью металлического браслета на запястье.
3. Жало паяльника следует заземлить.
4. МОП транзистор никогда не должен вставляться в цепь или удаляться из цепи при включенном питании.
23-4. Вопросы
1. По какой причине с МОП транзисторами надо обращаться очень осторожно?
2. Превышение какого напряжения может вывести МОП транзистор из строя?
3. Какие методы используются для защиты МОП транзисторов при транспортировке?
4. Какие меры предосторожности предприняты для защиты новейших МОП транзисторов?
5. Опишите процедуры, которые должны соблюдаться при работе с незащищенными МОП транзисторами.
23-5. ПРОВЕРКА ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
Проверка полевых транзисторов более сложна, чем проверка обычных транзисторов. Перед проверкой полевого транзистора необходимо рассмотреть следующие вопросы:
1. Является устройство полевым транзистором с р-n-переходом или полевым МОП транзистором?
2. Является полевой транзистор устройством с каналом n-типа или устройством с каналом р-типа?
3. Если это МОП транзистор, то какого он типа — обедненного или обогащенного?
Перед удалением полевого транзистора из цепи или началом работы с ним проверьте — является он полевым транзистором с р-n-переходом или полевым МОП транзистором. МОП транзистор можно легко повредить, если не соблюдать следующие меры предосторожности.
1. Закоротите все выводы МОП транзистора до тех пор, пока он не будет готов к работе.
2. Убедитесь в том, что рука, используемая для работы с МОП транзистором, заземлена.
3. Выключите питание цепи перед удалением или установкой МОП транзистора.
Как полевые транзисторы с р-n-переходом, так и МОП транзисторы могут быть легко проверены с помощью прибора для проверки транзисторов или с помощью омметра.
При использовании прибора для проверки транзисторов следуйте руководству по его эксплуатации.
Проверка полевых транзисторов с р-n-переходом при помощи омметра
1. Используйте низковольтный омметр на пределе Rх100.
2. Определите полярность выводов прибора. Белый — положительный, а черный — отрицательный.
3. Определите прямое сопротивление следующим образом:
а. Полевой транзистор с каналом n-типа: соедините положительный вывод с затвором, а отрицательный вывод с истоком или стоком. Поскольку и исток, и сток соединены с каналом, необходимо проверить только одну сторону. Прямое сопротивление должно быть низким.
б. Полевой транзистор с каналом р-типа: соедините отрицательный вывод с затвором, а положительный с истоком или стоком.
4. Определите обратное сопротивление следующим образом:
а. Полевой транзистор с каналом n-типа: соедините отрицательный вывод омметра с затвором, а положительный вывод с истоком или стоком. Полевой транзистор должен иметь бесконечное сопротивление. Низкое сопротивление указывает на короткое замыкание или наличие тока утечки.
б. Полевой транзистор с каналом р-типа: соедините положительный вывод с затвором, а отрицательный с истоком или стоком.
Проверка МОП транзисторов с помощью омметра
Прямое и обратное сопротивление можно проверить с помощью низковольтного омметра на его высшем пределе.
МОП транзисторы имеют очень высокое входное сопротивление из-за наличия изолированного затвора. Прибор должен показать бесконечное сопротивление и в прямом и в обратном направлениях между затвором и истоком или стоком. Низкое значение сопротивления указывает на пробой изоляции между затвором и истоком или стоком.
23-5. Вопросы
1. На какие вопросы надо ответить перед проверкой полевых транзисторов?
2. Почему важно знать тип устройства (транзистор с р-n-переходом или МОП транзистор) перед удалением его из цепи?
3. Опишите, как проверить полевой транзистор с р-n-переходом с помощью омметра?
4. Опишите, как проверить МОН транзистор с помощью омметра?
5. Как проверить полевой транзистор с р-n-переходом или МОИ транзистор с помощью прибора для проверки транзисторов?
РЕЗЮМЕ
• Полевой транзистор с р-n-переходом использует для управления сигналом канал вместо р-n-переходов (в обычных транзисторах).
• Три вывода полевого транзистора с р-n-переходом подсоединены к затвору, истоку и стоку.
• Входной сигнал прикладывается между затвором и истоком для того, чтобы полевой транзистор с р-n-переходом мог управлять его величиной.
• Полевые транзисторы с р-n-переходом имеют очень высокое входное сопротивление.
• Схематические обозначения полевых транзисторов с р-n-переходом следующие:
• В МОП транзисторах (полевых транзисторах с изолированным затвором) затвор изолирован от канала тонким слоем окисла.
• МОП транзисторы обедненного типа обычно бывают с каналом n-типа и открыты в нормальном состоянии.
• МОП транзисторы обогащенного типа обычно бывают с каналом р-типа и закрыты в нормальном состоянии.
• Главное отличие между полевыми транзисторами с р-n-переходом и МОП транзисторами в том, что потенциал затвора в МОП транзисторах может быть как положительным, так и отрицательным по отношению к истоку.
• Схематическое обозначение для МОП транзистора обедненного типа следующее:
• У большинства полевых транзисторов с р-n-переходом и МОП транзисторов выводы истока, и стока можно поменять местами, так как эти устройства являются симметричными.